[实用新型]抗辐射EEPROM存储阵列结构

摘要

本实用新型公布了一种抗辐射EEPROM存储单元阵列结构。特征是：其利用多晶硅将EEPROM存储单元包围在中间，所述多晶硅与相邻各个存储单元的有源区形成HVNMOS管的隔离结构，使存储阵列中的每个存储单元与其上下左右四个存储单元隔开；用于隔离的HVNMOS隔离管栅端接-1V到-3V的电压。本实用新型在保证器件性能的条件下，在单元与单元之间使用隔离结构，以防止单元之间的漏电；解决了由辐射所产生的总剂量效应（TID）对EEPROM存储阵列中相邻存储单元之间场区漏电的影响，提高了EEPROM器件存储单元阵列的抗辐射能力。

主权项

一种抗辐射EEPROM存储阵列结构，其特征在于：利用多晶硅将EEPROM存储单元包围在中间，所述多晶硅与相邻各个存储单元的有源区形成HVNMOS管的隔离结构，使存储阵列中的每个存储单元与其上下左右四个存储单元隔开；用于隔离的HVNMOS隔离管栅端接 1V到 3V的电压。