[实用新型]一种肖特基双胞芯片有效
| 申请号： | 201020537051.5 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN201812819U | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 薛列龙 | 申请（专利权）人： | 如皋市大昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/872;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所 11316 | 代理人： | 赵绍增 |
| 地址： | 226500 江苏省如皋市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种肖特基双胞芯片，从下到上依次包括阴极金属层、N++衬底、N-外延层、势垒层、阳极金属层和氧化层，其创新点在于：所述阳极金属层为两片相互独立不接触的阳极金属，在所述两阳极金属外均设有一圈用于消除边缘区域电场的氧化层。本实用新型的优点在于：在用于各类开关电源的二次侧整流时，两片阳极金属分别与氧化层、N-外延层、N++衬底、阴极金属层构成一个肖特基芯片结构，两者的电特性趋于一致。封装时，在金属框架上制作成成管，两片阳极金属分别连接一引线，阴极金属层与金属框架连接，芯片上的两个独立管芯发出的热通过同一衬底散发，故芯片的热特性趋于一致，很好的提高了产品的可靠性，另外由于封装时只需一次装片，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 双胞 芯片 | ||
【主权项】：
一种肖特基双胞芯片，从下到上依次包括阴极金属层、N++衬底、N 外延层、势垒层、阳极金属层和氧化层，其特征在于：所述阳极金属层为两片相互独立不接触的阳极金属，在所述两阳极金属外均设有用于消除边缘区域电场的氧化层。
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