[实用新型]直通硅穿孔连接结构有效
| 申请号： | 201020509932.6 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN201829492U | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 赖东昇;璩泽明 | 申请（专利权）人： | 茂邦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 何为;李宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园县芦*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种直通硅穿孔连接结构，其包含两面上分别设有一电路布局区的晶粒，且该晶粒上设有多数贯穿电路布局区的直径为100um以内的穿孔；以及分别填充于各穿孔中的导电膏，使晶粒两面上的电路布局区相互导通。藉此，可使晶粒利用穿孔与导电膏的配合，进而导通晶粒两面的电路布局区，而达到易于制作以及节省制作成本的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 直通 穿孔 连接 结构 | ||
【主权项】：
一种直通硅穿孔连接结构，包括有一晶粒，其两面上分别设有一电路布局区，且该晶粒上设有多数贯穿电路布局区的直径为100um以内的穿孔；其特征在于，各穿孔中分别填充有导电膏，使晶粒两面上的电路布局区相互导通。
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