[实用新型]一晶粒及包含该晶粒的功率转换集成电路

摘要

本实用新型公开了一晶粒及包含该晶粒的功率转换集成电路，对晶粒所包含的功率MOSFET、壕沟和焊盘的尺寸和位置进行了合理的布图，使得功率MOSFET的导通电阻和连接导线电阻之和最小或者接近最小。

主权项

一晶粒，有一晶粒拐角，所述晶粒包括：一高端功率MOSFET，所述高端功率MOSFET具有一漏极和一源极；以及第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和第二焊盘耦接至所述高端功率MOSFET的漏极，所述第一焊盘相对于晶粒拐角的的坐标为（158.3 μm ± d，2945.8 μm ± d），所述第二焊盘相对于晶粒拐角的的坐标为（398.8 μm ± d，2959.4 μm ± d），其中d小于或等于320 μm。