[实用新型]一种MOSFET器件有效
| 申请号： | 201020203061.5 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN201898135U | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 吉扬永 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 徐宏;詹永斌 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOSFET器件，涉及金属氧化物半导体场效应晶体管，目的在于提出一种高压横向MOSFET，提高性能，包括一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；高浓度第一型掺杂的漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；高浓度第一型掺杂的源极区，位于所述第二型基区中；栅极区，和所述第一型掺杂阱和第二型基区部分重叠；以及场氧区，位于栅极区和漏极接触区之间。其中，位于栅极区下方的第二型基区中的沟道呈水平结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种MOSFET器件，其特征在于，包括：一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中，为高浓度的第一型掺杂；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；源极区，位于所述第二型基区中，为高浓度的第一型掺杂；栅极区，和所述第一型掺杂阱和第二型基区部分重叠；场氧区，位于栅极区和漏极接触区之间；其中，位于栅极区下方的第二型基区中的沟道呈水平结构。
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