[发明专利]掺杂的III-N大块晶体和自支撑的、掺杂的III-N衬底

摘要

本发明涉及掺杂的III-N大块晶体和自支撑的、掺杂的III-N衬底，其中III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，N代表氮。在所述掺杂的III-N大块晶体和自支撑的、掺杂的III-N衬底中，掺杂物质分别在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内非常均一地分布。相应地，可以在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内提供载流子浓度和/或比电阻的非常均一的分布。此外，还可以获得非常好的晶体质量。

主权项

掺杂的III‑N大块晶体，其特征在于，具有选自下述参数(a)至(c)的均一性参数：(a)在显微拉曼图谱中，(i)在平行于生长平面的面上和/或(ii)在生长方向上的面上，LPP+模式的所测得的频率位置的标准偏差在情况(i)下为5％或者更少，在情况(ii)下为10％或者更少；(b)在MDP图谱中，(i)在平行于生长平面的面上和/或(ii)在生长方向上的面上，光电导性信号的标准偏差在情况(i)下为5％或者更少，在情况(ii)下为10％或者更少；(c)在显微光致发光图谱中，(i)在平行于生长平面的面上和/或(ii)在生长方向上的面上，D0X跃迁的线宽度的标准偏差在情况(i)下为5％或者更少，在情况(ii)下为10％或者更少。