[发明专利]具有增强的增益和灵敏度的量子点光学器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010622600.3 | 申请日： | 2006-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102157532A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·萨金特;贾森·克利福德;耶拉西莫斯·康斯坦塔托斯;伊恩·霍华德;伊桑·J·D·克莱姆;拉里莎·勒维纳 | 申请（专利权）人： | 爱德华·萨金特 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 本发明涉及具有增强的增益和灵敏度的量子点光学器件及其制造方法，所述量子点光学器件涉及一种图像传感器，包括：读出集成电路，其与第一像素电极和第二像素电极连通；和基本连续的光敏层；其中所述第一像素电极和所述第二像素电极二者与所述基本连续的光敏层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 增益 灵敏度 量子 光学 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，包括：读出集成电路，其与第一像素电极和第二像素电极连通；和基本连续的光敏层；其中所述第一像素电极和所述第二像素电极二者与所述基本连续的光敏层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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