[发明专利]法拉第屏蔽及等离子体加工设备有效
| 申请号： | 201010622211.0 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102543636A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王一帆;武晔;吕铀 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/09 | 分类号： | H01J37/09;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种法拉第屏蔽及等离子体加工设备，所述法拉第屏蔽包括至少两个并排设置的屏蔽单元，每个所述屏蔽单元包括多个间隔排列设置的屏蔽段，且相邻两屏蔽单元所包括的屏蔽段交错设置，所述屏蔽段均设置有朝向相对应交错设置的屏蔽段的阻挡部，且相对应两交错设置的屏蔽段的阻挡部之间构成屏蔽通道。本发明的法拉第屏蔽可以减少、甚至完全避免等离子体穿过法拉第屏蔽。 | ||
| 搜索关键词： | 法拉第 屏蔽 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种法拉第屏蔽，包括至少两个并排设置的屏蔽单元，每个所述屏蔽单元包括多个间隔排列设置的屏蔽段，且相邻两屏蔽单元所包括的屏蔽段交错设置，其特征在于，所述屏蔽段均设置有朝向相对应交错设置的屏蔽段的阻挡部，且相对应两交错设置的屏蔽段的阻挡部之间构成屏蔽通道。
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