[发明专利]法拉第屏蔽及等离子体加工设备

权利要求书

1.一种法拉第屏蔽，包括至少两个并排设置的屏蔽单元，每个所述屏蔽单元包括多个间隔排列设置的屏蔽段，且相邻两屏蔽单元所包括的屏蔽段交错设置，其特征在于，所述屏蔽段均设置有朝向相对应交错设置的屏蔽段的阻挡部，且相对应两交错设置的屏蔽段的阻挡部之间构成屏蔽通道。

2.根据权利要求1所述法拉第屏蔽，其特征在于，所述阻挡部使相邻两所述屏蔽单元之间的间隙呈脉冲波形。

3.根据权利要求1或2所述法拉第屏蔽，其特征在于，所述阻挡部设置在所述屏蔽段的两侧的端部。

4.根据权利要求1或2所述法拉第屏蔽，其特征在于，相对应两交错设置的屏蔽段的阻挡部之间所构成的屏蔽通道的宽度小于所述法拉第屏蔽所在位置处的分子平均自由程。

5.根据权利要求1或2所述法拉第屏蔽，其特征在于，所述屏蔽段的阻挡部与该屏蔽段相对应交错设置的屏蔽段之间的距离小于所述法拉第屏蔽所在位置处的分子平均自由程。

6.根据权利要求1或2所述法拉第屏蔽，其特征在于，所述阻挡部由绝缘材料制作而成。

7.一种等离子体加工设备，包括真空腔室、电介质窗以及法拉第屏蔽，所述电介质窗设置在所述真空腔室上，所述法拉第屏蔽设置在真空腔室的内侧且与所述电介质窗相对设置，其特征在于，所述法拉第屏蔽采用权利要求1-6任意一项所述法拉第屏蔽。