[发明专利]发光器件、发光器件封装、以及照明系统有效
| 申请号： | 201010622063.2 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102194936A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 金根浩 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/58;H01L25/075;F21S2/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供发光器件、发光器件封装、以及照明系统。发光器件包括：反射金属支撑，该反射金属支撑包括至少两对第一和第二反射金属层；反射金属支撑上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极。反射金属支撑包括Al、Ag、APC(Ag-Pd-Cu)合金、以及Au-Ni合金中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 以及 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：反射金属支撑，所述反射金属支撑包括至少两对第一和第二反射金属层；所述反射金属支撑上的发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及电极，所述电极在所述发光结构层上，其中所述反射金属支撑包括Al、Ag、APC(Ag‑Pd‑Cu)合金、以及Au‑Ni合金中的至少一个。
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