[发明专利]切割半导体晶片的方法、从半导体晶片切割的芯片以及从半导体晶片切割的芯片的阵列

摘要

一种切割半导体晶片的方法，包括：在该晶片的背面主表面中切割基准槽；在该背面主表面中切割背槽，该背槽相对该基准槽定位；确定所需的芯片边缘相对该基准槽的位置；以及在某个路径中施加辐射能量，从而在该晶片内沿该路径形成一系列改造区域。该晶片的晶体结构在这一系列改造区域中被改变，并且该激光的边缘相对该芯片边缘的所需位置对齐且与该背槽对齐。该方法包括沿这一系列改造区域将该晶片分开成在这一系列改造区域任一侧上的该晶片的分割区域。

主权项

一种切割半导体晶片的方法，包括：在该晶片的背面主表面中切割基准槽；在该背面主表面中切割背槽，该背槽相对该基准槽定位；确定所需的第一芯片边缘相对该基准槽的位置；在第一路径中施加辐射能量，从而沿该第一路径在该晶片中形成第一系列改造区域，其中：该晶片的晶体结构在该第一系列改造区域中被改变；以及该激光的第一边：相对该第一芯片边缘的所需位置对齐；以及，与该背槽对齐；以及将该晶片沿该第一系列改造区域分成在该第一系列改造区域的任一侧上的该晶片的分割区域，其中：确定第一芯片边缘相对该基准槽的所需位置包括将该第一边与该第一芯片边缘的所需位置对齐；该晶片在该背槽中、正面和背面主表面之间具有厚度，并且确定第一芯片边缘相对该基准槽的所需位置包括按照该厚度对齐该第一边；以及，将该晶片沿该第一系列改造区域分开包括：在正面和背面主表面之间的模片上形成端面；以及，在该模片上的正面主表面与至少一部分该端面之间形成基本上直角。