[发明专利]MEMS非易失存储器及存储单元有效
| 申请号： | 201010618344.0 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102568573A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张镭;江伟辉;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MEMS非易失存储器及存储单元，所述MEMS非易失存储器包括：由多个存储单元构成的存储阵列；行译码器，连接所述存储阵列的行选通线，用于进行行译码；列译码器，连接所述存储阵列的列选通线，用于进行列译码；读写控制单元，用于对所述存储阵列中的各位线的读写状态进行控制；所述存储单元、行译码器、列译码器和读写控制单元的一个或多个中包括至少一个MEMS开关器件，所述MEMS开关器件包括：第一端、第二端、第三端和控制端，所述控制端用于控制所述第三端与第一端和第二端中的一个电性导通。本发明提高了的响应速度，降低了编程电压，延长了使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | mems 非易失 存储器 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种MEMS非易失存储器，包括：由多个存储单元构成的存储阵列；行译码器，连接所述存储阵列的行选通线，用于进行行译码；列译码器，连接所述存储阵列的列选通线，用于进行列译码；读写控制单元，用于对所述存储阵列中的各位线的读写状态进行控制；其特征在于，所述存储单元、行译码器、列译码器和读写控制单元的一个或多个中包括至少一个MEMS开关器件，所述MEMS开关器件包括：第一端、第二端、第三端和控制端，所述控制端用于控制所述第三端与第一端和第二端中的一个电性导通。
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