[发明专利]MEMS非易失存储器及存储单元

说明书

技术领域

本发明涉及存储器领域，特别涉及一种MEMS非易失存储器及存储单元。

背景技术

随着信息技术的不断发展，各种存储器在电子设备中得到了广泛的使用。根据存储器的原理以及结构的不同，存储器可以分为静态存储器(SRAM)、动态存储器(DRAM)、闪速存储器(Flash)、只读存储器(ROM)、电可擦可编程只读存储器(EEPROM)等，其中，EEPROM具有非挥发性的特点，即掉电后其内部存储的数据并不会丢失，而且还可以比较方便的多次进行擦写，此外还具有较高的读写速率，因此广泛应用于各种便携式设备中，用于存储开机启动程序以及配置数据等。

图1示出了现有技术的一种存储器的结构示意图，包括：存储阵列10、行译码器11、列译码器12和读写控制单元13，其中，存储阵列10中包括多个成阵列排布的存储单元，每一存储单元可以存储一个比特(bit)的数据，同一行的存储单元共享同一行选通线，同一列的存储单元共享同一列选通线和位线；行译码器11连接各行选通线，用于进行行译码，对所述存储阵列中的各行选通线进行行选通；列译码器12连接各列选通线，用于进行列译码，对所述存储阵列中的各列选通线进行列选通；读写控制单元13，用于存储阵列10中的各存储单元的读写状态进行控制。

图2示出了图1中所示的行译码器11的一种结构示意图，图2仅是示例，其中行地址为2位(A0和A1)，行选通线有4条(WL0至WL3)，通过对行地址的译码，使得行选通线中的一条为逻辑高电平，其他的为逻辑低电平，译码后的真值表如下图所示：

  A1  A0  WL0  WL1  WL2  WL3  0  0  1  0  0  0  0  1  0  1  0  0  1  0  0  0  1  0  1  1  0  0  0  1

另外，图1中的列译码器12的结构与图2中的行译码器类似，仅是将行地址替换成列地址，行选通线替换成列选通线即可。