[发明专利]具有掩埋栅极电极的半导体器件及其形成方法无效
| 申请号： | 201010614988.2 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102129980A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 金奉秀;李哲;黄德性;安相彬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供具有掩埋栅极电极的半导体器件及其形成方法。多晶半导体层形成在衬底的单元有源区和周边有源区上。在形成多晶半导体层之后，掩埋栅极电极形成在单元有源区中的衬底中且在多晶半导体层之下的层面。在形成掩埋栅极电极之后，栅极电极由多晶半导体层形成在周边有源区中的衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 栅极 电极 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底的单元有源区和周边有源区上形成多晶半导体层；去除所述单元有源区中的部分所述多晶半导体层和所述衬底以在所述单元有源区中形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽中形成栅极电极；以及去除部分所述多晶半导体层以在所述周边有源区中的所述衬底上形成周边栅极电极。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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