[发明专利]基于溶胶式全透明TFT有源矩阵制造方法

摘要

本发明涉及一种基于溶胶式全透明TFT有源矩阵制造方法。本方法采用溶胶旋涂的方式将溶胶转移到玻璃基板上，利用光刻的方式直接实现了TFT有源矩阵的栅极电极层、绝缘层、有源层、源漏电极层以及保护层的图形化转移，采用本方法的TFT有源矩阵制造工艺简单，减少了湿刻等工艺步骤，节省了干刻等工艺步骤，并且不需要CVD以及PVD等大型成膜设备的投入，大幅节约了工艺设备、工艺制造成本的投入，并且制造的TFT有源矩阵为全透明式，开口率增加。

主权项

一种基于溶胶式全透明TFT有源矩阵制造方法，其特征在于采用溶胶旋涂的方式实现TFT有源矩阵的栅极电极层(20)、绝缘层(30)、有源层(40)、源漏电极层(50)以及保护层(60)的制作，其制作工艺步骤如下：1) 利用旋涂机在清洗洁净的玻璃基板(10)上旋涂栅极溶胶材料，使栅极溶胶材料均匀分布在玻璃基板(10)之上；对溶胶材料均进行前烘固化，之后进行曝光光刻处理，显影、后烘，得到栅极电极层(20)图形；2) 旋涂一层绝缘有机膜(31)作为绝缘层(30)，加热前烘，曝光、显影、后烘，从而实现绝缘层(30)图形的转移；3) 旋涂构成有源层(40)溶胶材料，之后进行前烘、曝光、显影、后烘，湿法刻蚀有源层(40)，从而实现有源层材料的制备以及有源层(40)图形的转移；4) 旋涂构成源漏电极层(50)溶胶材料，并作前烘、曝光、显影、后烘，将源电极、漏电极的图形转移到基板之上；5) 旋涂保护层(60)的有机材料，经过前烘、曝光、显影、后烘之后，制作出接触孔(62)，从而将接触孔图形转移到基板之上。