[发明专利]用于祛除金属互连结构集成电路器件的杂质污染的方法无效
| 申请号： | 201010610202.X | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102543842A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李佩;杨涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于祛除金属互连结构集成电路器件的杂质污染的方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有若干沟槽，在所述衬底表面和所述沟槽表面形成有衬垫层；沉积导体层，所述导体层填充所述沟槽；对所述导体层和所述衬垫层进行化学机械研磨直至将沟槽外的导体层和衬垫层全部祛除；还包括以下步骤：对所述衬底进行加热，以蒸发表面杂质、使杂质聚集成油粒；沉积形成覆盖层；对所述覆盖层进行研磨，直至将所述覆盖层全部祛除；沉积形成阻挡层。本发明在研磨过程中有效去除油粒，新的研磨过程与所述导体层接触时间非常短，故不会造成新的污染，从而避免了化学机械研磨对导电层的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 祛除 金属 互连 结构 集成电路 器件 杂质 污染 方法 | ||
【主权项】：
一种用于祛除金属互连结构集成电路器件的杂质污染的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有若干沟槽，在所述衬底表面和所述沟槽表面形成有衬垫层；沉积导体层，所述导体层填充所述沟槽；对所述导体层和所述衬垫层进行化学机械研磨，直至将沟槽外的导体层和衬垫层全部祛除；对所述衬底进行加热，以蒸发研磨杂质、使所述研磨杂质聚集成油粒；沉积形成覆盖层；对所述覆盖层进行研磨，直至将所述覆盖层全部祛除；淀积形成阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
