[发明专利]相变存储器及其制备方法

摘要

一种相变存储器及其制备方法。相变存储器包括：外围电路区和存储器区，存储器区中的垂直二极管包括：N型导电区域和P型导电区域，N型导电区域位于N型离子掩埋层上，N型离子掩埋层位于存储衬底上，P型衬底位于N型导电区域上，P型导电区域的上表面与外围电路区的外围衬底的上表面位于同一水平面，相变层位于P型衬底上，MOS管位于外围衬底上，且所述P型导电区域含有SiGe。制备方法包括：在制备垂直二极管前，在外围衬底上沉积牺牲介电层，然后对存储衬底进行刻蚀，在制备垂直二极管后，去除所述牺牲介电层，最后制备相变层和MOS管。本发明减小了垂直二极管的漏电流，增大了其电流效率；解决了现有技术中外围电路区不能很好工作的问题。

主权项

一种相变存储器，其特征在于，至少包括：存储器区和外围电路区；所述外围电路区包括：外围衬底；外围浅沟槽隔离，所述外围浅沟槽隔离位于所述外围衬底内，且所述外围浅沟槽隔离的厚度等于存储浅沟槽隔离的厚度；1个或多个MOS管，所述MOS管位于所述外围浅沟槽隔离之间的外围衬底上；所述存储器区包括：存储衬底；N型离子掩埋层，所述N型离子掩埋层位于所述存储衬底上；垂直二极管，所述垂直二极管位于所述N型离子掩埋层上，所述垂直二极管包括：N型导电区域和P型导电区域，其中：所述N型导电区域位于所述N型离子掩埋层上，所述P型导电区域位于所述N型导电区域上，所述P型导电区域含有SiGe，所述P型导电区域的上表面与所述外围衬底的上表面位于同一水平面；存储浅沟槽隔离，所述存储浅沟槽隔离位于所述垂直二极管内，且所述存储浅沟槽隔离的厚度等于所述垂直二极管的厚度；相变层，所述相变层位于所述存储浅沟槽隔离间的垂直二极管上。