[发明专利]MEMS器件的制作方法有效
| 申请号： | 201010607826.6 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102530831A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 毛剑宏;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种的MEMS器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有金属互连结构；在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的材质为无定形碳；刻蚀所述第一牺牲层形成第一凹槽；在所述第一牺牲层表面覆盖形成第一介质层；采用化学机械研磨工艺减薄所述第一介质层，直至露出所述第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面形成微机械结构层，并曝露出第一牺牲层，所述微机械结构层的部分与所述第一介质层连接。本发明采用先形成牺牲介质层，并图形化所述牺牲介质层，再形成介质层的方法，避免了对无定形碳的研磨，能够缩短生产周期，极大提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有金属互连结构；在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的材质为无定形碳；刻蚀所述第一牺牲层形成第一凹槽；在所述第一牺牲层表面覆盖形成第一介质层；采用化学机械研磨工艺减薄所述第一介质层，直至露出所述第一牺牲层；在第一牺牲层表面形成微机械结构层，并曝露出第一牺牲层，所述微机械结构层的部分与所述第一介质层连接。
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