[发明专利]金属栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201010604678.2 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102543702A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属栅极的形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有侧墙；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层表面与多晶硅栅极顶部齐平；去除所述多晶硅栅极和牺牲氧化层，形成沟槽；在层间介质层及侧墙上形成金属层，且所述金属层填充满沟槽；在金属层上形成保护层；研磨保护层及金属层至露出层间介质层，形成金属栅极，对所述保护层的研磨速率小于金属层。本发明的形成方法有效防止了在金属层研磨中关键尺寸较大的金属栅极出现凹陷的缺陷，提高了半导体器件的电性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有侧墙；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层表面与多晶硅栅极顶部齐平；去除所述多晶硅栅极和牺牲氧化层，形成沟槽；在层间介质层及侧墙上形成金属层，且所述金属层填充满沟槽；在金属层上形成保护层；研磨保护层及金属层至露出层间介质层，形成金属栅极，对所述保护层的研磨速率小于金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
