[发明专利]一种双极晶体管选通的阻变存储器、阵列及其制造方法无效
| 申请号： | 201010602513.1 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102544076A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘明;张康玮;龙世兵;刘琦;吕杭炳;王艳花 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331;H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多发射极的双极晶体管及其选通的阻变存储器及制造方法，所述晶体管包括：集电极；形成于所述集电极上的基极；形成于所述基极上的至少两个发射极，所述发射极间隔排列；其中，所述基极是所有所述发射极的共有基极，所述集电极是所有所述发射极的共有集电极。由于双极晶体管的多个发射极共用基极和集电极，从而减小双极晶体管的面积，而采用该多发射极的双极晶体管选通的阻变存储器，由于减小了选通晶体管的面积，进而提高了阻变存储器的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极晶体管 存储器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多发射极的双极晶体管，所述晶体管包括：集电极；形成于所述集电极上的基极；形成于所述基极上的至少两个发射极，所述发射极间隔排列；其中，所述基极是所有所述发射极的共有基极，所述集电极是所有所述发射极的共有集电极。
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