[发明专利]相变存储器的制作方法有效
| 申请号： | 201010601467.3 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102569646A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 任万春;向阳辉;宋志棠;刘波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供相变存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有底部电极和与所述底部电极齐平的第一介质层；在所述第一介质层表面形成第二介质层，所述第二介质层内形成有沟槽，所述沟槽露出下方的底部电极；在所述沟槽的侧壁形成侧墙；在所述第二介质层表面和所述沟槽内形成相变层，所述相变层至少填充满所述沟槽且覆盖于所述第二介质层表面；在所述相变层上方形成牺牲层，所述牺牲层用于保护所述沟槽内的相变层；进行平坦化工艺，去除所述牺牲层和位于所述沟槽外部、第二介质层表面的相变层，使得所述沟槽内的相变层与所述第二介质层齐平。本发明提高了相变存储器的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有底部电极和与所述底部电极齐平的第一介质层；在所述第一介质层表面形成第二介质层，所述第二介质层内形成有沟槽，所述沟槽露出下方的底部电极；在所述沟槽的侧壁形成侧墙；在所述第二介质层表面和所述沟槽内形成相变层，所述相变层至少填充满所述沟槽且覆盖于所述第二介质层表面；在所述相变层上方形成牺牲层，所述牺牲层用于保护所述沟槽内的相变层；进行平坦化工艺，去除所述牺牲层和位于所述沟槽外部、第二介质层表面的相变层，使得所述沟槽内的相变层与所述第二介质层齐平。
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