[发明专利]铜铟硒类太阳能电池及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201010601049.4 申请日: 2010-12-17
公开(公告)号: CN102569441A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 钟润文 申请(专利权)人: 慧濠光电科技股份有限公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;李昆岐
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种铜铟硒类太阳能电池及其制作方法,该太阳能电池包含基板、背部金属电极、光吸收层、透明导电层以及接触电极层,光吸收层包含多个不同原子比例的铜铟镓硒化合物薄膜,或铜铟镓硒硫化合物薄膜,且在制程中是以不同的靶材直接在背部金属电极上直接以直流或射频溅镀成膜,不需硒化,具有较安全、高效率及成本低的制程,且成份控制容易、晶相单一、浓度均匀,也提高了转换效率。
搜索关键词: 铜铟硒类 太阳能电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种铜铟硒类太阳能电池,包含:基板;背部金属电极,形成于该基板上,以高反射性的金属材料形成;光吸收层,形成于该背部金属电极之上,该光吸收层包含多个光吸收薄膜,且所述光吸收薄膜是原子比例为CuxIn1‑yGaySez,0≤x≤1.2,0≤y≤1,1.6≤z≤2.4的铜铟镓硒化合物薄膜,或是原子比例为CuxIn1‑yGay(SzSe1‑z)2,0.5≤x≤2,0≤y≤1,0≤z≤0.3的铜铟镓硒硫化合物薄膜;透明导电层,形成于该光吸收层之上,为透明导电氧化物薄膜;以及接触电极层,形成于该透明导电氧化层之上,以金属材料或合金材料形成,其中该接触电极层与该背部金属电极连接外部电路,而形成电气回路。
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