[发明专利]铜铟硒类太阳能电池及其制作方法无效
申请号: | 201010601049.4 | 申请日: | 2010-12-17 |
公开(公告)号: | CN102569441A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 钟润文 | 申请(专利权)人: | 慧濠光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;李昆岐 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种铜铟硒类太阳能电池及其制作方法,该太阳能电池包含基板、背部金属电极、光吸收层、透明导电层以及接触电极层,光吸收层包含多个不同原子比例的铜铟镓硒化合物薄膜,或铜铟镓硒硫化合物薄膜,且在制程中是以不同的靶材直接在背部金属电极上直接以直流或射频溅镀成膜,不需硒化,具有较安全、高效率及成本低的制程,且成份控制容易、晶相单一、浓度均匀,也提高了转换效率。 | ||
搜索关键词: | 铜铟硒类 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种铜铟硒类太阳能电池,包含:基板;背部金属电极,形成于该基板上,以高反射性的金属材料形成;光吸收层,形成于该背部金属电极之上,该光吸收层包含多个光吸收薄膜,且所述光吸收薄膜是原子比例为CuxIn1‑yGaySez,0≤x≤1.2,0≤y≤1,1.6≤z≤2.4的铜铟镓硒化合物薄膜,或是原子比例为CuxIn1‑yGay(SzSe1‑z)2,0.5≤x≤2,0≤y≤1,0≤z≤0.3的铜铟镓硒硫化合物薄膜;透明导电层,形成于该光吸收层之上,为透明导电氧化物薄膜;以及接触电极层,形成于该透明导电氧化层之上,以金属材料或合金材料形成,其中该接触电极层与该背部金属电极连接外部电路,而形成电气回路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于慧濠光电科技股份有限公司,未经慧濠光电科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010601049.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的