[发明专利]MIM电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201010599891.9 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102544118A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 牛健;李广福;杨林宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/334 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MIM电容器，该电容器的第一导电层及第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um，从而降低了MIM电容器在刻蚀过程中产生的金属残留问题；同时，本发明还公开了一种MIM电容器的制备方法，该方法制备出的MIM电容器，其第一导电层及第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um，从而降低了MIM电容器在刻蚀过程中产生的金属残留问题；并且该方法在对每批次晶片进行金属溅射之前，首先检测溅射机台的停机时间，从而避免了因溅射机台工艺不稳定而造成溅射金属的晶粒过小，导致在刻蚀过程中产生的金属残留问题。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MIM电容器，其特征在于，包括：第一导电层，其中，所述第一导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um；绝缘层，位于所述第一导电层上；第二导电层，位于所述绝缘层上，其中，所述第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um。
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