[发明专利]一种氧气氛无压烧结法制备ITO靶材的方法无效

专利信息
申请号: 201010597008.2 申请日: 2010-12-20
公开(公告)号: CN102167597A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 陈敬超;周晓龙;杜焰;阮进;于杰;冯晶 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C04B35/64 分类号: C04B35/64;C04B35/457
代理公司: 昆明今威专利代理有限公司 53115 代理人: 赛晓刚
地址: 650093 云南省昆明*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了具有较强创新性的烧结ITO靶材的方法,其目的是通过对烧结工艺的优化,实现无压氧气氛烧结,最终得到高致密度、高性能的靶材。该方法以烧结法为基础,根据ITO靶材的烧结特性,采用分段烧结工艺,通过控制进入炉膛的氧气流量来控制烧结气氛中的氧分压,抑制ITO靶材的分解,最终得到了致密度高于99.3%,导电性能好的靶材。本发明的氧气氛无压烧结法是一种新型的陶瓷烧结方法,主要应用于易分解的氧化物陶瓷的烧结,其设备简单,烧结制品不受尺寸限制,可生产大尺寸的陶瓷制品,应用这种方法制备ITO靶材尚属首次,制备得到的ITO靶材性能优于目前常用的热压烧结法、热等静压烧结法和普通的常压烧结法。
搜索关键词: 一种 氧气 氛无压 烧结 法制 ito 方法
【主权项】:
一种氧气氛无压烧结法制备ITO靶材的方法,其特征在于:通过超声场活化钢模压制和冷等静压复压得到较高致密度的素坯,素坯经过脱脂处理后,放入烧结炉中进行烧结,炉内氧气纯度高于99.999%,露点低于‑72℃,分段烧结,得到致密度高于99.3%的ITO靶材。
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  • 2018-06-12 - 2018-11-06 - C04B35/64
  • 本发明公开了一种陶瓷材料烧结助剂及其制备方法,包括以下原料及重量分数:氧化锆6‑18份,氧化钛3‑10份,氮化硅1‑3份,氟化钙2‑7份,氧化锌4‑15份,氧化镁2.5‑8份,三氧化二镧1.5‑6份,氧化钐1.2‑3.5份,氧化铍4‑11份,二甲基甲酰胺1.5‑2.5份,二甲基亚砜3‑7份,脂肪酸聚氧乙烯酯4‑9份,三氧化二铝8‑25份。本发明制作的烧结助剂,涂抹在陶瓷外部能实现均匀分散,同时烧结过程中,避免了局部过烧的问题,通过小剂量烧结助剂的添加便有效提高了其助烧结作用,缩减了加工陶瓷的加热工序时间,节约了部分加热能源,整体加工方法简单,值得推广。
  • 烧结片材及其制备方法-201510600109.3
  • 郑亨旭;梁殷寿;金镇哲;李东圭;吴浚禄;金俊映 - SKC株式会社
  • 2015-09-18 - 2018-10-02 - C04B35/64
  • 本发明涉及一种烧结片材及其制备方法,所述烧结片材在至少一面上具有通过非加压性方式从纸的表面转印的细微凹凸,从而附着保护膜后,不容易被剥离,并且能够防止在层压天线时可能在保护膜中产生的气泡。并且,所述烧结片材通过简单的方式体现最佳表面粗糙度,因此,与现有的在赋有粗糙度的PET薄膜上进行加压等的方式相比,能够显著降低烧结片材的制备成本,并且容易调节表面粗糙度,并且,即使层叠两张以上而进行烧结,分离成单个烧结片材的效果仍然优异。
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