[发明专利]具有屏蔽栅的VDMOS结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201010595051.5 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102569385A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;丛茂杰;周颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有屏蔽栅的VDMOS结构，为在VDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，所述VDMOS器件的控制栅位于所述屏蔽栅的两边，且所述控制栅有部分叠加在所述屏蔽栅两边之上，该屏蔽栅与所述控制栅和所述漂移区之间均通过绝缘层隔离。采用本发明的结构，能有效降低器件的米勒电容，降低开关功耗并提高开关的速度。本发明还公开一种具有屏蔽栅的VDMOS结构的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 vdmos 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有屏蔽栅的VDMOS结构，其特征在于：在VDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，所述VDMOS器件的控制栅位于所述屏蔽栅的两边，且所述控制栅各有一边叠加在所述屏蔽栅之上，该屏蔽栅与所述控制栅和所述漂移区之间均通过绝缘层隔离。
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