[发明专利]V型线阻抗稳定网络拓扑结构的特性参数分析及校准方法

摘要

V型线阻抗稳定网络拓扑结构的特性参数分析及校准方法，从线阻抗稳定网络的原理图出发，结合器件高频的特性分析，得到相应的寄生参数原理图及其公式，结合MATLAB仿真软件对分立元件各寄生参数对分压系数、隔离度、串扰及阻抗的影响进行分析；通过分析接地和金属板的两种基本串扰形式，建立线阻抗稳定网络相应的等效电路模型；用MATLAB仿真软件分析了两种模型下的寄生参数对线阻抗稳定网络隔离度、阻抗的影响；依据仿真得到的随频率变化的曲线，判断寄生参数及其耦合关系对LISN测量的影响。为研究线阻抗稳定网络的寄生参数影响提供了一个具体分析模型，根据各参数的特性采取不同的补偿措施，有助于提高线阻抗稳定网络自身的测量精度。

主权项

1.V型线阻抗稳定网络拓扑结构的特性参数分析及校准方法，V型线阻抗稳定网络连接受试设备和测量接收机，受试设备产生射频骚扰信号输入测量接收机，其特征是对于50Ω/50μH V型线阻抗稳定网络，对寄生参数建模，将V型线阻抗稳定网络的电路图转换为高频等效电路，获取分压系数、隔离度和串扰三个特性参数以及受试端阻抗与寄生参数的关系，所述建模与关系为：1)分压系数：受试端口至骚扰输出端口这一路径的高频衰减，又称为插入损耗，骚扰输出端口向测量接收机输出射频骚扰信号，VIFL=20*lg|VLf-EVL′-E|---(1)]]>式(1)中为骚扰输出端口电压，V_L′-E为受试端口的电压，VIF_L表示分压系数，单位dB，与寄生参数的关系为：|VLf-EVN′-E|=|S1||S2esL+S1||S2R1||R4S2|]]>S1=j*w*L1||(1j*w*escL1)+Ri||(1j*w*c1+j*w*esLc1)---(2)]]>S2=R1||R4+j*w*esLc2+1j*w*c2]]>式(2)中R1为线阻抗稳定网络骚扰输出端与参考地之间的阻抗、R4为骚扰输出端测量接收机阻抗、L1为线阻抗稳定网络相线、中线上电感，c1为线阻抗稳定网络相线、中线对地电容，c2为线阻抗稳定网络相线、中线对骚扰输出端的电容，均为已知的线阻抗稳定网络元器件，S1、S2为等效表达式，用于简化公式，escL1、esLc1、esLc2、esL分别为L1、c1、c2、适配器的高频寄生参数；2)隔离度：接收机端口信号受到每一个供电电源端子信号影响的程度为隔离度，IRRLL=20*lg|VLf-EVL-E|---(3)]]>式(3)中为骚扰输出端口电压，V_L-E为商用电源电压，IRR_LL表示隔离度，单位dB，与寄生参数的关系为：|VLf-EVL-E|=|Ri||S3j*w*L1||1j*w*escL1+Ri||S3R1||R4S3|---(4)]]>S3=R1||R4+j*w*esLc2+1j*w*c2]]>式(4)中R1、R4、L1、c1、c2、escL1、esLc2与式(2)中含义相同，S3为等效表达式；3)串扰：测试接收机端口信号受到非相关受试设备端子信号影响的程度为串扰，CRRL=20*lg|VLf-EVN′-E|---(5)]]>式(5)中为骚扰输出端口电压，V_N′-E为受试端口电压，CRR_L表示隔离度，单位dB，|VLf-EVN′-E|=|Ri||S41j*w*esc+Ri||S4R1||R4S4|---(6)]]>S4=R1||R4+1j*w*c2+j*w*esLc2]]>式(6)中R1、R4、c2定义与式(2)中含义相同，Ri为测量串扰时线阻抗稳定网络电源端的标准端所接的匹配阻抗，S4为等效表达式，esc为相线、中线间高频寄生电容；4)阻抗：线阻抗稳定网络EUT端的阻抗定义为对受试设备呈现的终端阻抗，当骚扰输出端没有与测量接收机相连时，该输出端应端接50Ω阻抗，为保证测量接收机端口具有准确的50Ω终端阻抗，在网络的内部或者外部使用10dB的衰减器，衰减器从任何一端看进去的的驻波比小于或等于1.2，考虑寄生参数：Z＝S5‖S6+esL+esRS5=1j*w*c1+j*w*esLc1+1j*w*escL1||j*w*L1]]>S6=1j*w*c2+j*w*esLc2+R1||R4---(7)]]>式(7)中c1、c2、escL1、esLc1、esLc2、esL与式(2)中含义相同，S5、S6分别为等效表达式，esR为适配器高频等效寄生电阻；根据上述特性参数与寄生参数的公建模及关系，运用MATLAB仿真，控制相应的寄生参数值就能得到相应寄生参数对特性参数的测量影响，进行特性参数分析，并根据寄生参数对特性参数进行校准。