[发明专利]V型线阻抗稳定网络拓扑结构的特性参数分析及校准方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种线阻抗稳定网络的模型及高频特性参数的建模分析，同时提出串扰和接地分析方法，属于电磁兼容技术领域，为一种V型线阻抗稳定网络拓扑结构的特性参数分析及校准方法。

技术背景

随着相关的电磁兼容检测标准出台，电子产品的电磁干扰要求也越来越高，如何获得更加准确、有效的测量数据成为科研、生产的必然的要求。基于线阻抗稳定网络的传导性电磁干扰测量设备是人们检测电磁干扰的有效设备，如何提高测量精度，获得更加精确的数据，是值得研究的一个重要问题。

现阶段对于线阻抗稳定网络的研究多集中在网络结构和噪声分离等方面，而对于线阻抗稳定网络本身内部器件在高频状态下可能存在寄生参数方面却少有研究，无源器件在高频状态下存在寄生参数是不容忽视的问题，线阻抗稳定网络本身存在的测量精度问题很大程度和内部器件高频寄生参数有关，本发明针对线阻抗稳定网络内部器件可能存在寄生电感电容做了系统的理论分析，得出相应寄生参数可能对特性参数测量产生较大影响的结论，分析了接地不到位的影响，同时提出串扰的概念，分析了它的存在对特性参数的影响。

发明内容

本发明要解决的问题是：分析线阻抗稳定网络的测量精度问题，根据仿真的结论，分析在测量相应的参数时应当采用怎样的措施减小误差，获得更加精确的测量数据。

本发明的技术方案为：V型线阻抗稳定网络拓扑结构的特性参数分析及校准方法，V型线阻抗稳定网络连接受试设备和测量接收机，受试设备产生射频骚扰信号输入测量接收机，对于50Ω/50μH V型线阻抗稳定网络，对寄生参数建模，将V型线阻抗稳定网络的电路图转换为高频等效电路，获取分压系数、隔离度和串扰三个特性参数以及受试端阻抗与寄生参数的关系，所述建模与关系为：

1)分压系数：受试端口至骚扰输出端口这一路径的高频衰减，又称为插入损耗，骚扰输出端口向测量接收机输出射频骚扰信号，

VIFL=20*lg|VLf-EVL′-E|---(1)]]>

式(1)中为骚扰输出端口电压，V_L′-E为受试端口的电压，VIF_L表示分压系数，单位dB，与寄生参数的关系为：

|VLf-EVN′-E|=|S1||S2esL+S1||S2R1||R4S2|]]>