[发明专利]自对准阻挡层形成方法有效
| 申请号： | 201010584316.1 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102543735A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 周俊;陈薇宇;李绍彬;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种自对准阻挡层形成方法。本发明的自对准阻挡层形成过程中，在执行快速热退火工艺前沉积第一自对准阻挡层，在快速热退火工艺后沉积第二自对准阻挡层，从而，使得形成的第一自对准阻挡层和第二自对准阻挡层总自对准阻挡层相较于现有工艺变得疏松了。由此，后续进行刻蚀工艺时能将侧墙的自对准阻挡层完全刻蚀去除，提高MOS晶体管产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 阻挡 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准阻挡层形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的侧墙，所述半导体衬底中形成有无需自对准的器件；执行离子注入工艺，以在所述侧墙两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；在所述半导体衬底、栅极结构以及侧墙表面形成第一自对准阻挡层；执行快速热退火工艺；在所述第一自对准阻挡层表面形成第二自对准阻挡层；在无需自对准的器件上方的第二自对准阻挡层表面形成掩膜层；刻蚀第一自对准阻挡层和第二自对准阻挡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010584316.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种船用中压减振配电柜
- 下一篇：一种无人机短距起飞方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
