[发明专利]自对准阻挡层形成方法有效
| 申请号： | 201010584316.1 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102543735A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 周俊;陈薇宇;李绍彬;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 阻挡 形成 方法 | ||
1.一种自对准阻挡层形成方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的侧墙，所述半导体衬底中形成有无需自对准的器件；
执行离子注入工艺，以在所述侧墙两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；
在所述半导体衬底、栅极结构以及侧墙表面形成第一自对准阻挡层；
执行快速热退火工艺；
在所述第一自对准阻挡层表面形成第二自对准阻挡层；
在无需自对准的器件上方的第二自对准阻挡层表面形成掩膜层；
刻蚀第一自对准阻挡层和第二自对准阻挡层。
2.如权利要求1所述的自对准阻挡层形成方法，其特征在于，刻蚀第一自对准阻挡层和第二自对准阻挡层的步骤包括：先执行干法刻蚀工艺，再执行湿法刻蚀工艺。
3.如权利要求2所述的自对准阻挡层形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺去除所述侧墙上部分厚度的第二自对准阻挡层，所述湿法刻蚀工艺去除所述侧墙上剩余的第二自对准阻挡层和第一自对准阻挡层。
4.如权利要求1所述的自对准阻挡层形成方法，其特征在于，所述第一自对准阻挡层的厚度为100埃～150埃，所述第二自对准阻挡层的厚度大于200埃。
5.如权利要求4所述的自对准阻挡层形成方法，其特征在于，所述第一自对准阻挡层的厚度为100埃～130埃，所述第二自对准阻挡层的厚度为200埃～250埃。
6.如权利要求1所述的自对准阻挡层形成方法，其特征在于，所述快速热退火工艺的退火温度为200℃～1000℃。
7.如权利要求6所述的自对准阻挡层形成方法，其特征在于，所述快速热退火工艺的退火时间为10秒～60秒。
8.如权利要求1所述的自对准阻挡层形成方法，其特征在于，所述无需自对准的器件为电路结构。
9.如权利要求1所述的自对准阻挡层形成方法，其特征在于，所述自对准阻挡层材料为富硅氧化物。
10.如权利要求1所述的自对准阻挡层形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为硅氧化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
