[发明专利]ESD保护的功率MOSFET或IGBT及制备方法

摘要

本发明是对具有ESD保护功率MOSFET或IGBT改进，其特征是ESD保护单元由多晶硅二极管组及下方N-外延层中体硅二极管组成的双重保护结构，所说多晶硅二极管组中各P型区及N型区浓度，分别与功率MOSFET或IGBT的P阱浓度及N+源相同，构成P-/N+多晶硅二极管组，所说体硅二极管由N+/P-区/P+结构组成。使得ESD保护具有双重结构，相同面积下增加了ESD泄放通道，ESD泄放能力更强，芯片利用率提高，以及可使二极管个数增加泄漏电流降低，较好协调了ESD保护效果与栅源间泄漏电流关系。此结构还可以使其成为与功率MOSFET或IGBT的P阱与N+源为同一制造层，可以通过同一道离子注入工序完成，不需要额外工序，使得制造工艺简化，成本降低。

主权项

ESD保护的功率MOSFET或IGBT，包括跨接在功率MOSFET或IGBT栅、源极间的ESD保护单元，其特征在于ESD保护单元由多晶硅二极管组及下方N‑外延层中体硅二极管组成的双重保护结构，所说多晶硅二极管组中各P型区及N型区浓度，分别与功率MOSFET或IGBT的P阱浓度及N+源相同，构成P‑/N+多晶硅二极管组，所说体硅二极管由N+/P‑区/P+结构组成。