[发明专利]用于半导体器件的温度控制的直接流体接触微通道热传递装置、方法及其形成工艺无效
| 申请号： | 201010575938.8 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102148207A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | C·R·施罗德;C·W·阿克曼;J·C·希普雷;T·阿奇克林;I·索西尤克;M·L·鲁廷格里欧;J·G·玛维蒂;A·X·古普塔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/46;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于测试半导体器件的装置，其包括保持至少一个传热流体单位单元的基面。该至少一个传热流体单位单元包括有供应孔横截面的流体供应结构，还包括有返回孔横截面的流体返回结构。该供应孔横截面大于该返回孔横截面。还包括为不渗透液体的材料的管芯接触面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 温度 控制 直接 流体 接触 通道 传递 装置 方法 及其 形成 工艺 | ||
【主权项】：
一种对半导体器件进行温度控制的装置，包括：基面，其中该基面包括至少一个传热流体单位单元，该至少一个传热流体单位单元包括：流体供应结构，其包括供应孔横截面；和流体返回结构，其包括返回孔横截面，并且其中该供应孔横截面大于该返回孔横截面；以及管芯接触面，其中该管芯接触面为不渗透液体的材料。
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