[发明专利]一种N沟道JFET集成放大器的制造方法有效
| 申请号： | 201010571942.7 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102130053A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 潘廷龙;陈计学;倪国志 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L21/761;H01L21/337 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233042 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N沟道JFET集成放大器的制造方法，其制造方法包括在Si片上制作单一的具有P+隔离区的步骤，以及在该P+隔离区内制作栅、源、漏极的步骤，其特征在于：在Si片上制作出两个以上独立的P+隔离区，在每个P+隔离区外围再制作一个N+隔离区，然后在每个P+隔离区内制作栅、源、漏极。本发明采用了集成化的N沟道JFET设计，在制造方法上通过制造出的N+隔离区、P+隔离区的双隔技术，具有如下优点：(1)采用了双隔离技术，彻底消除了电路漏电的可能，消除了各个独立工作单元之间的相互串扰。(2)实现了N沟JFET放大器的集成化。(3)缩小了集成电路所占有的空间，更大程度上保证了电路的温度性能，减小了噪声，其作为输入极的集成运放具有更高的速度和更宽的带宽以及更高的输入阻抗，提高了极限频率，保证了较小的功耗，加强了抗辐照的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 jfet 集成 放大器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种N沟道JFET集成放大器的制造方法，包括：在Si片上制作单一的具有P+隔离区的步骤，以及在该P+隔离区内制作栅、源、漏极的步骤，其特征在于：在Si片上制作出两个以上独立的P+隔离区，在每个P+隔离区外围再制作一个N+隔离区，然后在每个P+隔离区内制作栅、源、漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
