[发明专利]一种MnAs纳米线及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010565057.8 申请日: 2010-11-30
公开(公告)号: CN102080258A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 徐锋;陈光;杜宇雷;李永胜 申请(专利权)人: 无锡南理工科技发展有限公司
主分类号: C30B25/18 分类号: C30B25/18;C30B29/10;C30B29/62
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 唐代盛
地址: 214192 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种MnAs纳米线及其制备方法,90%以上的纳米线沿[110]GaAs晶向排列,晶向对应关系满足其外延生长于GaAs(001)单晶衬底上,横躺与GaAs(001)单晶表面,具有六角密堆晶体结构。本发明的利用分子束外延技术与设备,以GaAs(001)单晶为衬底,提高生长温度至450-550℃实现S-K生长模式,确保As4/Mn的流量比在20及以上、控制平均沉积厚度在0.4-3nm,得到外延且横躺GaAs(001)表面的MnAs纳米线。
搜索关键词: 一种 mnas 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种MnAs纳米线,其特征在于90%以上的纳米线沿[110]GaAs晶向排列,晶向对应关系满足其外延生长于GaAs(001)单晶衬底上,横躺与GaAs(001)单晶表面,具有六角密堆晶体结构。
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