[发明专利]一种金属氧化物透明导电薄膜外延生长的方法及装置

摘要

本发明公开了一种金属氧化物透明导电薄膜外延生长方法及装置。该装置包括顺序连接的可控供气系统、生长反应室和尾气处理系统；生长反应室包括：反应室本体、匀气单元以及载片单元；反应室本体具有封闭的反应腔，匀气单元设置在反应腔的上端，并与所述可控供气系统连接；载片单元设置在反应室内，衬底承载于其上；反应室的底部与所述尾气处理系统连接。采用了本发明技术方案外延生长装置的一种金属氧化物透明导电薄膜外延生长方法，因设置了科学合理的匀气单元，使得氧源、金属源和辅助气分别横向流动而扩散均匀之后再向下流向反应区，以实现外延生长的均匀性，可以一次性外延生长处多片高质量的金属氧化物导电薄膜，从而满足产业化生产的要求。

主权项

一种金属氧化物透明导电薄膜外延生长装置，包括顺序连接的：用于分别可控制的提供氧源、有机金属源和生长辅助气源的可控供气系统；用于进行有机金属气相沉积外延生长的生长反应室；用于对外延生长反应后的尾气进行处理的尾气处理系统，其特征在于，所述生长反应室包括：反应室本体、匀气单元，以及用于承载外延生长衬底的载片单元；所述反应室本体具有封闭的反应腔，所述匀气单元设置在所述反应腔的上端，并与所述可控供气系统连接；所述载片单元设置在反应室内，用于外延生长的衬底承载于其上；反应室的底部与所述尾气处理系统连接。