[发明专利]一种GaN基材料的发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010558728.8 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479894A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王立彬 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种GaN基材料的发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的N-GaN层、有源层、P-GaN层和ITO薄膜。ITO薄膜和N-GaN层上分别置有金属电极Cr/Pt/Au层。其结构特点是，所述蓝宝石衬底的上表面边沿露出一圈衬底平面。同现有技术相比，本发明采用深刻蚀切割道的方法使蓝宝石衬底暴露出来，充分利用图形化衬底的图形，同时利用衬底与封装介质的折射率差，提高出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基材 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基材料的发光二极管，它包括蓝宝石衬底(1)以及依次置于蓝宝石衬底(1)上方的N‑GaN层(2)、有源层(3)、P‑GaN层(4)和ITO薄膜(10)，ITO薄膜(10)和N‑GaN层(2)上分别置有金属电极Cr/Pt/Au层(14)，其特征在于，所述蓝宝石衬底(1)的上表面边沿露出一圈衬底平面(7)。
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