[发明专利]钨酸铅晶体的垂直梯度凝固法生长工艺

摘要

本发明涉及一种钨酸铅晶体的垂直梯度凝固法生长技术，属于单晶生长领域。其特征在于初始原料由按设定的多晶锭化学计量组分精确配料，混合均匀后置于坩埚中，于700~800℃温度下预烧料2~4小时，下端置以取向确定的籽晶，然后升温至1130~1200℃使原料熔化，籽晶和熔体附近温度梯度约15℃/cm、熔体内部约8℃/cm，然后以2℃/h的速度降温，晶体生长开始，这个速度一直维持到生长结束。本方法工艺简单，重复性好，整个生长过程可实现全部程序控制，有利于实现工业化生产。

主权项

钨酸铅晶体的垂直梯度凝固法生长工艺，其特征在于包括以下步骤：1)按多晶锭化学计量组分为99.999%纯度的PbO和99.999%纯度的WO精确配料，其物质的量比为1：1，去除水份后混合均匀得混合料；2)将混合料在700~800℃炉温下预烧2~4小时，然后升温至1130~1200℃使混合料熔化，快速注入模具中，降温得到多晶锭；3)选取现有的钨酸铅晶体，根据所需生长方向准确定向，切割、研磨成所需要的形状，清洗后得到籽晶，所述籽晶截面长度和宽度均应小于所述钨酸铅晶体上的尺寸，长度为20~50mm；4)将所得多晶锭和籽晶置于铂金坩埚中，装入VGF晶体生炉，升温至1100~1300℃，保温2~3小时后，以400μm/h的移动速度开始下降，制得所述钨酸铅晶体；5)籽晶和熔体附近温度梯度约15℃/cm、熔体内部约8℃/cm，降温速度为2℃/h。