[发明专利]不同生长方向Sb单晶纳米线的可控制备方法有效
| 申请号： | 201010542893.4 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101984148A | 公开（公告）日： | 2011-03-09 |
| 发明（设计）人： | 杨友文;陈延彪;陈祥迎;刘飞 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B29/62;C30B30/02 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种不同生长方向Sb单晶纳米线的可控制备方法，其特征是在孔洞均匀一致的氧化铝模板上，利用脉冲电沉积的方法，以加入不同量的添加剂的电解液为基础，制备得到分别沿着[110]、[012]方向生长的六方晶体结构的Sb纳米线阵列，晶胞参数为a＝b＝0.4307nm、c＝1.127nm；所述加入在电解液中的添加剂为十二烷基硫酸钠C12H25NaO4S。本发明方法是在室温、敞开体系的温和条件下，利用电沉积原理制备出具有不同生长方向的Sb单晶纳米线阵列，设备简单、易于操作、适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 不同 生长 方向 sb 纳米 可控 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种不同生长方向Sb单晶纳米线的可控制备方法，其特征是在孔洞均匀一致的氧化铝模板上，利用脉冲电沉积的方法，以加入不同量的添加剂的电解液为基础，制备得到分别沿着[110]、[012]方向生长的六方晶体结构的Sb纳米线阵列，晶胞参数为a＝b＝0.4307nm、c＝1.127nm；所述加入在电解液中的添加剂为十二烷基硫酸钠C12H25NaO4S。
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