[发明专利]多晶硅太阳电池减反射膜制备方法及多晶硅太阳电池

摘要

本发明提供了一种多晶硅太阳电池减反射膜制备方法和一种多晶硅太阳电池，所述方法包括：钝化层淀积步骤和密度层淀积步骤。所述多晶硅太阳电池包括：多晶硅片；位于多晶硅片表面上的减反射膜；所述减反射膜的材质为氮化硅，包括钝化层和密度层；所述钝化层设置在所述多晶硅片表面上，所述密度层设置在所述钝化层表面上。本发明提供的技术方案中，减反射膜中的钝化层能够有效的钝化硅片表面和基体，并减少多晶硅材料表面中的位错和晶界等缺陷，提高多晶硅材料载流子寿命，形成的减反射膜能够有效提高多晶硅太阳电池的光电转换效率，增大电池片的最大功率。

主权项

一种多晶硅太阳电池减反射膜制备方法，其特征在于，在将多晶硅片放入淀积腔中之后，包括：钝化层淀积步骤，用于在多晶硅片表面上形成钝化层，具体为：向淀积腔中通入流量为6000～9000SCCM的氨气和流量为800～1000SCCM的硅烷，射频功率为3000～5000W，占空比为5∶50，压强为1500～2000mtor，持续时间为100～300S；密度层淀积步骤，用于在钝化层表面上形成密度层，具体为：向淀积腔中通入流量为7000～9000SCCM的氨气和流量为400～900SCCM的硅烷，射频功率为4500～6500W，占空比为5∶50，压强为1500～2000mtor，持续时间为400～600S。