[发明专利]多晶硅太阳电池减反射膜制备方法及多晶硅太阳电池

说明书

技术领域：

本发明涉及太阳电池制造技术领域，尤其涉及一种多晶硅太阳电池减反射膜制备方法及多晶硅太阳电池。

背景技术：

随着经济的快速发展，对能源的需求越来越大，导致能源的存在较大短缺，同时造成了环境污染问题日益突出。近些年来，随着太阳能技术的高速发展，利用太阳能电池发电已经成为了解决能源和环境问题的重要途径之一。太阳电池包括单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池等，其中多晶硅太阳电池的原材料较为丰富，制造比较容易，其生产使用量已超过其它类型的太阳电池，在业界占据了主导地位。

多晶硅太阳电池制造过程中，通常要在硅片表面形成减反射膜，减反射膜的材料一般为氮化硅，用于降低多晶硅太阳电池表面对光线的反射，从而改善其光电转化效率。通常，现有技术中减反射膜的制备方法为：通过向PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学汽相沉积)设备的淀积腔内通入氨气硅烷，在硅片表面淀积一层膜厚为78nm～85nm、折射率为2.0至2.1的氮化硅膜。

然而，多晶硅太阳电池中使用的多晶硅材料中，存在较多的杂质、位错和晶界等缺陷，现有的减反射膜制备方法难以起到钝化硅片表面和基体的作用，进而难以解决上述缺陷带来的降低多晶硅材料载流子寿命的问题，最终会影响多晶硅太阳电池的光电转化效率的提高。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明申请的目的在于一种多晶硅太阳电池减反射膜制备方法及一种多晶硅太阳电池，以实现钝化硅片表面和基体，并减少多晶硅材料表面中的位错和晶界等缺陷，提高多晶硅材料载流子寿命和多晶硅太阳电池的光电转化效率。

为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种多晶硅太阳电池减反射膜制备方法，在将多晶硅片放入淀积腔中之后，包括：

钝化层淀积步骤，用于在多晶硅片表面上形成钝化层，具体为：向淀积腔中通入流量为6000～9000SCCM的氨气和流量为800～1000SCCM的硅烷，射频功率为3000～5000W，占空比为5∶50，压强为1500～2000mtor，持续时间为100～300S；

密度层淀积步骤，用于在钝化层表面上形成密度层，具体为：向淀积腔中通入流量为7000～9000SCCM的氨气和流量为400～900SCCM的硅烷，射频功率为4500～6500W，占空比为5∶50，压强为1500～2000mtor，持续时间为400～600S。

优选的，在钝化层淀积步骤之前，还包括：

氨气预淀积步骤，向淀积腔中通入3～6L的氨气，射频功率为3000～5000W，持续时间为100～300S。

优选的，在氨气预淀积步骤之前，还包括：

氨气吹扫步骤，向淀积腔中通入2～6L的氨气和2～4L的氮气，射频功率为3000～5000W，持续时间为100～300S。

优选的，其特征在于：

所述钝化层淀积步骤和密度层淀积步骤中，淀积腔的温度为400～500℃。

本发明实施例还提供了一种多晶硅太阳电池，包括：

多晶硅片；

位于多晶硅片表面上的减反射膜；

所述减反射膜的材质为氮化硅，包括钝化层和密度层；

所述钝化层设置在所述多晶硅片表面上，所述密度层设置在所述钝化层表面上。

优选的，

所述减反射膜的厚度为78～88nm，折射率为2.0～2.15。

优选的，

所述钝化层的厚度为10～30nm，折射率为2.2～2.5；

所述密度层的厚度为60～80nm，折射率为1.9～2.2。

优选的，

所述钝化层中包含有氢元素。

应用本发明实施例所提供的技术方案，减反射膜中的钝化层能够有效的钝化硅片表面和基体，并减少多晶硅材料表面中的位错和晶界等缺陷，提高多晶硅材料载流子寿命，形成的减反射膜能够有效提高多晶硅太阳电池的光电转换效率，增大电池片的最大功率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的多晶硅太阳电池的结构示意图。

具体实施方式