[发明专利]一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法有效
| 申请号： | 201010532635.8 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102468123A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张苗;张波;薛忠营;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法，该方法包括在SiGe层表面淀积一层NiAl合金薄膜，然后进行退火工艺，使NiAl合金薄膜的Ni原子与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成NiSiGe材料。因为Al原子的阻挡作用，NiSiGe层具有单晶结构，和SiGe衬底的界面很平整，可以达到0.3nm，可以大幅度提高界面的性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 nial 合金 外延 生长 nisige 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在半导体Si衬底上制备一SiGe层；步骤二、对SiGe层进行清洗，去除其表面的污染物和自然氧化层；步骤三、在SiGe层表面淀积一层NiAl合金薄膜；步骤四、进行退火工艺，使Ni层与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成NiSiGe材料；步骤五、利用选择性腐蚀，去除没有和SiGe材料反应的Ni，得到位于SiGe层表面的外延NiSiGe层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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