[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 201010528793.6 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102074572A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 袁锋;李宗霖;陈宏铭;张长昀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构，包括一基底，其具有一第一部分于一第一元件区中与一第二部分于一第二元件区中；以及两个隔离区于该第一元件区中且于该基底上。所述两个隔离区包括一第一介电材料其具有一第一k值。一半导体条介于所述两个隔离区之间并与所述两个隔离区邻接，随着该半导体条的一顶部部分形成一半导体鳍状物于所述两个隔离区的顶部表面上。一额外的隔离区于该第二元件区中且于该基底上。该额外的隔离区包括一第二介电材料其具有大于该第一k值的一第二k值。通过使用低介电常数材料来形成元件内浅沟槽隔离区，减少了鳍式场效应晶体管的寄生栅极电容并且增加分别的鳍式场效应晶体管的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：一基底，其包括一第一部分于一第一元件区中与一第二部分于一第二元件区中；两个隔离区于该第一元件区中且于该基底上，其中所述两个隔离区包括一第一介电材料其具有一第一k值；一第一半导体条介于所述两个隔离区之间并与所述两个隔离区邻接，其中该第一半导体条的一顶部部分形成一第一半导体鳍状物于所述两个隔离区的顶部表面上；以及一额外的隔离区于该第二元件区中且于该基底上，其中该额外的隔离区包括一第二介电材料其具有大于该第一k值的一第二k值。
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