[发明专利]堆栈式封装结构及其制造方法

摘要

本发明关于一种堆栈式封装结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：形成且固化一第一保护层以覆盖一第一晶圆的第一凸块；切割该第一晶圆，以形成数个第一晶粒；形成一第二保护层以覆盖一第二晶圆的第二凸块；利用一接合头通过该第一保护层吸附该第一晶粒，且将这些第一晶粒接合于该第二晶圆上；移除该接合头，且移除部分该第一保护层；切割该第二晶圆，以形成数个第二晶粒；形成一第三保护层于一基板上；及将该第一晶粒及该第二晶粒接合于该基板上。藉此，该第一保护层可以保护这些第一凸块，而且该第一保护层还具有增加厚度及平坦化的作用，以利后续第一晶粒的吸附。

主权项

一种堆栈式封装结构的制造方法，包括：(a)提供一第一晶圆，该第一晶圆包括一第一晶圆本体、数个第一连通柱及数个第一凸块，该第一晶圆本体包括一第一表面及一第二表面，这些第一连通柱突出于该第一表面，这些第一凸块邻接于该第二表面且电性连接这些第一连通柱；(b)形成且固化一第一保护层于这些第一凸块上，以覆盖这些第一凸块；(c)切割该第一晶圆，以形成数个第一晶粒；(d)提供一第二晶圆，该第二晶圆包括一第二晶圆本体及数个第二凸块，该第二晶圆本体包括一第三表面及一第四表面，这些第二凸块邻接于该第三表面，且该第四表面相对于该第三表面；(e)形成一第二保护层于这些第二凸块上，以覆盖这些第二凸块；(f)利用一接合头通过该第一保护层吸附这些第一晶粒，且将这些第一晶粒接合于该第二晶圆上，其中这些第一连通柱电性连接这些第二凸块；(g)移除该接合头，且移除部分该第一保护层以显露这些第一凸块；(h)切割该第二晶圆，以形成数个第二晶粒；(i)提供一基板，该基板具有一上表面；(j)形成一第三保护层于该基板上表面；及(k)将该第一晶粒及该第二晶粒接合于该基板上表面，其中这些第一凸块电性连接该基板上表面。