[发明专利]含第4族金属的膜的沉积方法

摘要

本发明涉及含第4族金属的膜的沉积方法，尤其是一种利用通式M(OR1)(OR2)(R3C(O)C(R4)C(O)XR5y)2的前体通过原子层沉积形成含金属膜的方法，其中，M是第4族金属；R1和R2可以相同或不同，选自直链或支链C1-10烷基和C6-12芳基；R3可选自直链或支链C1-10烷基和C6-12芳基，优选为C1-3烷基；R4是选自氢、C1-10烷基和C6-12芳基，优选为氢；R5是选自直链或支链C1-10烷基和C6-12芳基，优选为甲基或乙基；X＝O或N，其中当X＝O时，y＝1且R1，2和5是相同的，当X＝N时，y＝2且每个R5可以相同或不同。

主权项

1.在原子层沉积条件下向衬底上沉积含至少一种金属的膜的方法，所述金属选自钛、铪和锆，所述方法包括将衬底与如下通式所示的组成物(composition)接触：其中，M是选自Ti、Zr和Hf的第4族金属；其中R¹和R²是相同或不同的，选自直链或支链C_1-10烷基和C_6-12芳基；R³是选自直链或支链C_1-10烷基和C_6-12芳基；R⁴是选自氢、C_1-3烷基和C_6-12芳基；R⁵是选自直链或支链C_1-10烷基和C_6-12芳基；X＝O或N，其中当X＝O时，y＝1且R^1，2和5是相同的，当X＝N时，y＝2且每个R⁵相同或不同。