[发明专利]掩膜型ROM器件的单元结构无效
| 申请号： | 201010521442.2 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102456693A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 胡晓明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜型ROM器件的单元结构，其原始状态为：衬底(10)中具有n阱(12’)，衬底(10)之上为介质层(21)，介质层(21)中具有接触孔(19)，接触孔(19)与n阱(12’)相接触；其编程状态为：衬底(10)中具有n阱(12’)，衬底(10)之上为介质层(21)，介质层(21)中具有接触孔(19)，接触孔(19)下方的n阱(12’)中具有n型离子注入区(20)，接触孔(19)与n型离子注入区(20)相接触，n型离子注入区(20)的掺杂浓度大于n阱(12’)的掺杂浓度。接触孔(19)为填充在一个通孔中的金属。本发明掩膜型ROM的单元结构具有结构简单、面积小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜型 rom 器件 单元 结构 | ||
【主权项】：
一种掩膜型ROM器件的单元结构，其特征是，所述掩膜型ROM器件的单元结构的原始状态为：衬底(10)中具有n阱(12’)，衬底(10)之上为介质层(21)，介质层(21)中具有接触孔(19)，接触孔(19)与n阱(12’)相接触；所述掩膜型ROM器件的单元结构的编程状态为：衬底(10)中具有n阱(12’)，衬底(10)之上为介质层(21)，介质层(21)中具有接触孔(19)，接触孔(19)下方的n阱(12’)中具有n型离子注入区(20)，接触孔(19)与n型离子注入区(20)相接触，n型离子注入区(20)的掺杂浓度大于n阱(12’)的掺杂浓度；所述接触孔(19)为填充在一个通孔中的金属；所述原始状态表示“0”或“1”中的一个，所述编程状态表示“0”或“1”中的另一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
