[发明专利]掩膜型ROM器件的单元结构

权利要求书

1.一种掩膜型ROM器件的单元结构，其特征是，所述掩膜型ROM器件的单元结构的原始状态为：衬底(10)中具有n阱(12’)，衬底(10)之上为介质层(21)，介质层(21)中具有接触孔(19)，接触孔(19)与n阱(12’)相接触；

所述掩膜型ROM器件的单元结构的编程状态为：衬底(10)中具有n阱(12’)，衬底(10)之上为介质层(21)，介质层(21)中具有接触孔(19)，接触孔(19)下方的n阱(12’)中具有n型离子注入区(20)，接触孔(19)与n型离子注入区(20)相接触，n型离子注入区(20)的掺杂浓度大于n阱(12’)的掺杂浓度；

所述接触孔(19)为填充在一个通孔中的金属；

所述原始状态表示“0”或“1”中的一个，所述编程状态表示“0”或“1”中的另一个。

2.根据权利要求1所述的掩膜型ROM器件的单元结构，其特征是，所述掩膜型ROM器件的单元结构是在原始状态还是在编程状态，是由接触孔(19)下方的n阱(12’)中是否具有n型离子注入区(20)来决定的。

3.根据权利要求1所述的掩膜型ROM器件的单元结构，其特征是，所述掩膜型ROM器件的单元结构为两端子器件，接触孔(19)引出为一个端子，n阱(12’)引出作为另一个端子。

4.根据权利要求1所述的掩膜型ROM器件的单元结构，其特征是，所述掩膜型ROM器件的单元结构为原始状态时，所述接触孔(19)与n阱(12’)的接触为肖特基接触；

所述掩膜型ROM器件的单元结构为编程状态时，所述接触孔(19)与n型离子注入区(20)的接触为欧姆接触。

5.根据权利要求1所述的掩膜型ROM器件的单元结构，其特征是，所述n型离子注入区(20)的体浓度在1×10¹⁹原子/立方厘米以上。

6.根据权利要求1所述的掩膜型ROM器件的单元结构，其特征是，所述n型离子注入区(20)中的杂质为磷。

7.根据权利要求1所述的掩膜型ROM器件的单元结构，其特征是，所述掩膜型ROM的单元结构的读取电压不超过肖特基二极管的阈值电压，所述肖特基二极管为所述掩膜型ROM器件的单元结构为原始状态时所述接触孔(19)与n阱(12’)形成的。

8.根据权利要求1所述的掩膜型ROM器件的单元结构，其特征是，所述掩膜型ROM的单元结构在组成阵列应用时，所有的单元结构都排列在一个n阱中。