[发明专利]半导体装置及用于制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201010508390.5 | 申请日： | 2010-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102034744A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 古谷晃 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及用于制造半导体装置的方法。抑制了凹部中的空隙的产生。用于制造半导体装置的方法包括：在绝缘膜中形成凹部的操作，该绝缘膜形成在半导体衬底上；在凹部中形成晶种膜的操作；在凹部中形成覆盖金属膜的操作；选择性地移除覆盖金属膜以在凹部的底部上露出晶种膜的操作；以及，通过利用凹部的底部中露出的晶种膜作为晶种来执行镀膜的生长以填充凹部的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体装置的方法，包括：制备具有凹部和晶种膜的衬底，所述晶种膜在所述凹部的底部露出；在所述凹部中形成导电膜，所述导电膜具有低于所述晶种膜的镀淀积能力；选择性地移除所述导电膜以在所述凹部的底部上露出所述晶种膜；以及通过利用在所述凹部的底部上露出的所述晶种膜的部分作为晶种来进行镀膜的生长以填充所述凹部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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