[发明专利]金属基氮化铝板绝缘基板制备方法无效
| 申请号： | 201010505050.7 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102054713A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王德苗;王庆;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C23C4/12;C23C4/10 |
| 代理公司： | 杭州君易知识产权代理事务所 33223 | 代理人： | 陈向群 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于金属基复合材料领域，特别是一种金属基氮化铝绝缘基板制备方法；其特征在于包含下列步骤：选择金属基材、对金属基材进行表面前置处理，以使基材表面清洁平整、将经过前置处理的金属基材进行表面氧化化、对表面氧化后的金属基材喷涂氮化铝层；具有制作工艺简单、成品质量稳定、生产成本低的金属基氮化铝绝缘基板的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氮化 绝缘 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属基氮化铝绝缘基板制备方法，其特征在于包含下列步骤：选择金属基材、对金属基材进行表面前置处理、对前置处理后的金属基材进行表面氧化处理、对表面氧化处理后的金属基材喷涂氮化铝层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010505050.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
