[发明专利]具有减小的栅电容的高压晶体管结构

摘要

在一个实施方案中，一种高压场效应晶体管(HVFET)包括覆盖第一阱区的场氧化物层，该场氧化物层具有第一厚度，且在第二侧向方向上从漏极区延伸至第二阱区附近。栅极氧化物覆盖一沟道区，并在第一侧向方向上具有第二尺寸。栅极在第二侧向方向上从源极区延伸到场氧化物层的一部分之上，该栅极通过所述栅极氧化物与所述沟道区绝缘，该栅极沿第一侧向尺寸在HVFET的无源区域之上延伸超过所述栅极氧化物的第二尺寸，该栅极通过所述场氧化物层与在所述无源区域范围内的所述第一阱区和第二阱区绝缘。

主权项

一种高压场效应晶体管(HVFET)，包括：具有第一导电类型的衬底；具有第二导电类型的第一阱区，所述第一阱区被置于所述衬底内，所述第一阱区具有侧向边界；具有所述第二导电类型的漏极区，所述漏极区被置于所述第一阱区内，所述漏极区在第一侧向方向上具有第一尺寸，所述第一阱区的延伸漏极区在垂直于所述第一侧向方向的第二侧向方向上将所述漏极区与所述侧向边界隔开；具有所述第一导电类型的第二阱区，所述第二阱区相邻于所述第一阱区被置于所述衬底内并且侧向地延伸进入所述第一阱区，所述第二阱区在所述第二方向上延伸越过所述侧向边界；具有所述第二导电类型的源极区，所述源极区被置于所述第二阱区中，一沟道区在所述源极区和所述第一阱区之间形成于所述衬底中；场氧化物层，所述场氧化物层覆盖所述第一阱区，所述场氧化物层具有第一厚度，且在所述第二侧向方向上在所述HVFET的有源区域中从所述漏极区延伸至所述第二阱区附近；栅极氧化物，所述栅极氧化物覆盖在所述有源区域中的所述沟道区，所述栅极氧化物具有的第二厚度显著薄于所述第一厚度，所述栅极氧化物具有在所述第一侧向方向上延伸的基本线状的(linear)边缘，所述基本线状的边缘在所述有源区域中具有第二尺寸；栅极，所述栅极被置于所述沟道区上方，所述栅极在所述第二侧向方向上从所述源极区延伸到所述场氧化物层的一部分之上，所述栅极在所述有源区域中通过所述栅极氧化物与所述沟道区绝缘，所述栅极沿所述第一侧向尺寸在所述HVFET的无源区域之上延伸超过所述栅极氧化物的所述第二尺寸，所述栅极通过所述场氧化物层与在所述无源区域范围内的所述第一阱区和所述第二阱区绝缘。