[发明专利]半导体装置的制造方法及衬底处理装置

摘要

本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。

主权项

一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括下述工序：将衬底搬入处理容器内的工序；对衬底进行处理的工序，即，通过交替重复进行以下工序，在所述衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜，所述交替重复进行的工序包括：通过向所述处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有所述规定元素的第2原料气体进行排气，在所述衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向所述处理容器内供给与所述第1原料气体及所述第2原料气体不同的反应气体进行排气，将所述含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序；将经过处理的衬底从所述处理容器内搬出的工序；其中，所述第1原料气体的反应性比所述第2原料气体的反应性高，在所述形成含有规定元素的层的工序中，使所述第1原料气体的供给量比所述第2原料气体的供给量少。