[发明专利]垂直的齐纳二极管结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201010291813.2 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102412307A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张帅;董科 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L21/329;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直的齐纳二极管结构，该其特征在于：所述齐纳二极管的N型注入区和P型注入区位于外延层的N阱中，从硅表面往下依次为P型注入区和N型注入区。该结构的齐纳击穿点远离硅表面，从而改善齐纳击穿值漂移问题。本发明还公开了一种垂直的齐纳二极管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 齐纳二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直的齐纳二极管结构，其特征在于：所述齐纳二极管的N型注入区和P型注入区位于外延层的N阱中，从硅表面往下依次为P型注入区和N型注入区。
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